薄膜分析
薄膜分析
X射線衍射對(duì)于研究外延層和其他薄膜材料具有特殊價(jià)值。采用精密的晶格參數(shù)的測(cè)量方法，可以很準(zhǔn)確的確定晶格的外延層及其基底。在外延器件中晶格參數(shù)匹配或不匹配是一個(gè)重要因素如磁泡存儲(chǔ)器的磁性石榴石薄膜，LED用摻雜砷化鎵薄膜和高速晶體管和其他重要的電子產(chǎn)品。對(duì)于薄膜X射線衍射的另一個(gè)應(yīng)用是使用高溫衍射通過(guò)測(cè)定晶格參數(shù)隨溫度的變化來(lái)確定熱膨脹系數(shù)。
X射線衍射儀安裝G?bel鏡后，照射到樣品入射線平行度提高到0.1°以下，可實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜樣品進(jìn)行XRR、GIXRD測(cè)量，如下圖所示：
薄膜掠入射分析（GIXRD）：精確分析多層膜中材料的組成、次序、取向等；
薄膜反射分析(XRR)：針對(duì)多晶、單晶多層薄膜厚度、密度、粗燥度進(jìn)行精確分析；
TaC/SiC = 4 nm/1.2 nm薄膜樣品 XRR測(cè)量
TaC/SiC = 4 nm/1.2 nm薄膜樣品GIXRD測(cè)量
TaC/SiC = 4 nm/1.2 nm薄膜樣品XRD測(cè)量
DX-2700BH、DX-2800衍射儀+G?bel鏡
